CWN(CHANGE WITH NEWS) - 인피니언, 뛰어난 성능과 품질을 제공하는 CoolGaN™ 600V GIT HEMT 포트폴리오 출시

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 CoolGaN™ 600V HD-GIT(하이브리드-드레인-임베디드 게이트 주입 트랜지스터) 기술을 자체 제조 설비에 성공적으로 통합했다고 밝혔다.

이제 인피니언은 더 넓은 시장에 포괄적인 구성의 고품질 GaN 디바이스 포트폴리오를 제공하게 됐다. 인피니언의 GaN 포트폴리오는 JEDEC 수명 요건을 훨씬 웃도는 광범위한 디스크리트 및 고집적 GaN 디바이스를 포함한다. 새로운 CoolGaN 디바이스는 서버, 통신, 태양광용 산업용 SMPS에서부터 충전기와 어댑터, 모터 드라이브, TV/모니터, LED 조명 시스템 같은 컨슈머 애플리케이션에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 최적화됐다.

CoolGaN 디스크리트 및 IPS (integrated power stage) 디바이스 포트폴리오는 JEDEC 표준(JESD47 및 JESD22)을 준수하는 산업용 애플리케이션의 특정 요구 사항 충족을 위해 필요한 유연성을 제공한다. 디스크리트 CoolGaN GIT HEMT 디바이스는 DSO-20-85, DSO-20-87, HSOF-8-3, LSON-81, TSON-8 패키지로 42mΩ~340mΩ의 다양한 온 저항(RDS(on),max) 값으로 제공된다. IPS 솔루션은 하프 브리지 형태와 단일 채널 디바이스로 제공된다. 하프 브리지 솔루션은 2개의 GaN 스위치를 통합했으며, TIQFN-28 패키지로 (2x) 190mΩ~650mΩ의 RDS(on),max 값으로 제공된다. 단일 채널 솔루션은 열 향상 TIQFN-21 패키지로 130mΩ~340mΩ의 RDS(on),max 값으로 제공된다.

인피니언 CoolGaN GIT 기술은 견고한 게이트 구조, 내부 정전기 방전(ESD) 보호, 뛰어난 동적 RDS(on) 성능의 고유한 조합을 특징으로 한다. GaN의 본질적 특성을 최대한 활용해 △Si 기술 대비 10배 높은 항복 전계 △2배 높은 전자 이동도 △10배 낮은 출력 전하 △제로 역 회복 전하 △10배 낮은 선형 출력 정전 용량(COSS)의 게이트 전하 등 뛰어난 FoM(성능 지수)을 제공한다.

이런 기술적 특징은 극히 낮은 RDS(on), 공진 회로의 효율 향상, 새로운 토폴로지 및 전류 변조 사용, 빠르고 거의 무손실에 가까운 스위칭 등 설계상 중요한 이점을 제공한다.

다양한 구성의 CoolGaN 600V GIT 디스크리트 디바이스는 상단면 및 하단면 냉각(TSC/BSC)으로 JEDEC 표준을 충족하는 패키지로 제공된다. CoolGaN TSC 전력 패키지는 시장에서 독보적이며 높은 전력 요구 사항을 충족한다. 이들 디바이스를 활용해 디자이너들은 높은 전력 밀도로 콤팩트하고 가벼운 제품을 설계하고, 에너지 효율을 높이고, 총 시스템 비용을 낮출 수 있도록 한다. 또 인피니언의 품질 기준에 따라 탁월한 견고성과 장기적인 신뢰성을 보장해 에너지 소비가 많은 애플리케이션의 운영 및 유지 보수 비용을 절감하도록 한다.

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